Görsel mevcut değil
IGP40N65H5XKSA1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 650V 74A TO220-3
IGP40N65H5XKSA1 Hakkında
IGP40N65H5XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V kollektör-emiter breakdown voltajında çalışan IGBT transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 74A sürekli kollektör akımı ve 120A nabız akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. Vce(on) değeri 2.1V (15V kapı voltajında 40A'de) olup, 255W maksimum güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir. Gate charge 95nC ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar. -40°C ile 175°C arasında çalışan bu IGBT, motor kontrol, güç dönüştürücü ve güç kaynağı uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
74 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
95 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
255 W
Supplier Device Package
PG-TO220-3-1
Switching Energy
390µJ (on), 120µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
22ns/165ns
Test Condition
400V, 20A, 15Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V