Görsel mevcut değil
IGP03N120H2
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT, 9.6A, 1200V, N-CHANNEL
IGP03N120H2 Hakkında
IGP03N120H2, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel IGBT transistördür. 1200V yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 9.6A (Ic) kolektör akımı ve 9.9A (Icm) darbe akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, endüstriyel sürücü devreleri, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları ve enerji dönüştürme sistemlerinde kullanılır. Gate charge değeri 22nC olup, Vce(on) başlangıç gerilimi 15V, 3A koşullarında 2.8V'tur. Switching energy 290µJ ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabildir. Maksimum 62.5W güç dağıtabilir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
9.6 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
9.9 A
Gate Charge
22 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
62.5 W
Supplier Device Package
PG-TO220-3-1
Switching Energy
290µJ
Td (on/off) @ 25°C
9.2ns/281ns
Test Condition
800V, 3A, 82Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V