Görsel mevcut değil
IGP01N120H2XKSA1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V 3.2A 28W TO220-3
IGP01N120H2XKSA1 Hakkında
Rochester Electronics tarafından üretilen IGP01N120H2XKSA1, 1200V çalışma gerilimi ile tasarlanmış bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 3.2A kolektör akımı ve 28W güç sınırlaması ile endüstriyel güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 8.6nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilen bu transistör, 13ns açılış ve 370ns kapanış zamanı sunmaktadır. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösteren komponent, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. Düşük Vce(on) değeri (2.8V @ 15V, 1A) ile enerji kaybını minimize eden bu IGBT, switching energy değeri 140µJ olarak belirtilmiştir. Üretimi durdurulmuş (obsolete) parça olarak tanımlanmaktadır.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3.2 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
3.5 A
Gate Charge
8.6 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
28 W
Supplier Device Package
PG-TO220-3-1
Switching Energy
140µJ
Td (on/off) @ 25°C
13ns/370ns
Test Condition
800V, 1A, 241Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V