Görsel mevcut değil
IGP01N120H2
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
IGP01N120H2 Hakkında
IGP01N120H2, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V Collector-Emitter breakdown voltajına sahip bir IGBT transistördür. TO-220-3 kasa tipinde sunulan bu bileşen, maksimum 3.2A sürekli collector akımı ve 3.5A darbe akımı ile çalışır. 28W maksimum güç derecelendirmesine ve -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. 140µJ switching energy ve 13ns on-time, 370ns off-time değerleri ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Vce(on) maksimum değeri 15V gate voltajında ve 1A collector akımında 2.8V'tur. Güç dönüştürme, motor kontrol ve endüstriyel uygulamalarda kullanılan bu bileşen aktif parça statüsündedir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3.2 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
3.5 A
Gate Charge
8.6 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
28 W
Supplier Device Package
PG-TO220-3-1
Switching Energy
140µJ
Td (on/off) @ 25°C
13ns/370ns
Test Condition
800V, 1A, 241Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V