Görsel mevcut değil
IGB50N65H5ATMA1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- IGB50N65 - INDUSTRY 14
IGB50N65H5ATMA1 Hakkında
IGB50N65H5ATMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 80A sürekli kollektör akımı ve 150A darbe akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. Maksimum 270W güç dağıtabilir ve -40°C ile 175°C arasında çalışır. Düşük anahtarlama enerjisi (açılış: 1.59mJ, kapanış: 750µJ) ve hızlı geçiş zamanları (23ns açılış, 173ns kapanış) ile endüstriyel uygulamalarda kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri, motor kontrol devreleri ve inverter uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Part Status
Active
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
Gate Charge
120 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power - Max
270 W
Supplier Device Package
PG-TO263-3
Switching Energy
1.59mJ (on), 750µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
23ns/173ns
Test Condition
400V, 50A, 12Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V