Görsel mevcut değil
IGA03N120H2XKSA1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V 3A 29W TO220-3
IGA03N120H2XKSA1 Hakkında
IGA03N120H2XKSA1, 1200V kolektör-emitör kırılma gerilimi ile tasarlanan 3A maksimum kolektör akımına sahip bir Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) bileşenidir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamalarında yüksek gerilim ortamlarında çalışmaya uygundur. 29W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve 8.6nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama karakteristiği sunar. Vce(on) değeri 2.8V @ 15V, 3A koşullarında ölçülmüştür. İnverter, konvertör ve motor kontrol devreleri gibi endüstriyel güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
9 A
Gate Charge
8.6 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Last Time Buy
Power - Max
29 W
Supplier Device Package
PG-TO220-3-31
Switching Energy
290µJ
Td (on/off) @ 25°C
9.2ns/281ns
Test Condition
800V, 3A, 82Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V