Görsel mevcut değil
HGTP6N40E1D
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 7.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT
HGTP6N40E1D Hakkında
HGTP6N40E1D, Rochester Electronics tarafından üretilen 7.5A, 400V N-Channel IGBT transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, düşük geçiş kaybı ve hızlı anahtarlama özelliği ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 75W maksimum güç kapasitesi ile AC-DC güç kaynakları, motor kontrol, inverter ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans sunar. VCE(on) maksimum değeri 2.5V (10V, 3A koşullarında), gate charge ise 6.9 nC olarak belirtilmiştir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
7.5 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
7.5 A
Gate Charge
6.9 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
75 W
Supplier Device Package
TO-220
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 10V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V