Görsel mevcut değil
HGTP5N120CN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT, 25A, 1200V, N-CHANNEL
HGTP5N120CN Hakkında
HGTP5N120CN, Rochester Electronics tarafından üretilen N-kanallı IGBT transistördür. 25A sürekli kolektör akımı ve 1200V maksimum breakdown voltajı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipi ile ısıl yönetim ve montaj kolaylığı sağlar. NPT (Non Punch Through) teknolojisi ile daha düşük Vce(on) değerine sahiptir. 75nC gate charge ve 22ns açılış / 180ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Endüstriyel motor kontrolü, güç kaynakları, UPS sistemleri ve kaynak makineleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +150°C arası geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenli çalışır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
25 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
40 A
Gate Charge
75 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
167 W
Supplier Device Package
TO-220AB
Switching Energy
400µJ (on), 640µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
22ns/180ns
Test Condition
960V, 5.5A, 25Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 5.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V