Görsel mevcut değil
HGTP3N60B3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
HGTP3N60B3 Hakkında
HGTP3N60B3, Rochester Electronics tarafından üretilen 7A, 600V kapasiteli N-channel IGBT transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 33.3W maksimum güç disipasyonuna ve 2.1V Vce(on) değerine sahiptir. 16ns reverse recovery time ve düşük switching energy değerleri (on: 66µJ, off: 88µJ) ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Gate charge 21nC'dir. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sunar. Güç kaynağı tasarımları, motor kontrol devreleri, invertör uygulamaları ve endüstriyel anahtarlama sistemlerinde tercih edilir. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye direkt monte edilebilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
7 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
20 A
Gate Charge
21 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
33.3 W
Reverse Recovery Time (trr)
16 ns
Supplier Device Package
TO-220
Switching Energy
66µJ (on), 88µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
18ns/105ns
Test Condition
480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 3.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V