Görsel mevcut değil
HGTP3N60A4D
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- N-CHANNEL IGBT
HGTP3N60A4D Hakkında
HGTP3N60A4D, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel IGBT transistörüdür. 600V Collector-Emitter breakdown voltajı ile medium-voltage uygulamalarda kullanılır. Maksimum 17A sürekli akım ve 40A pulsed akım kapasitesi ile güç elektronik devrelerde anahtarlama elemanı olarak çalışır. 70W maksimum güç dağıtımı ve düşük Vce(on) (2.7V @ 15V, 3A) ile verim kayıplarını azaltır. 29ns reverse recovery time ve 37µJ on-switching enerjisi ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. TO-220-3 paketinde üretime alınmış olan bu transistör, indüktif yükler, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. -55°C ~ 150°C geniş çalışma sıcaklık aralığı ile endüstriyel ortamlara uygundur.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
17 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
40 A
Gate Charge
21 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
70 W
Reverse Recovery Time (trr)
29 ns
Supplier Device Package
TO-220-3
Switching Energy
37µJ (on), 25µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
6ns/73ns
Test Condition
390V, 3A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V