Görsel mevcut değil
HGTP20N60C3R
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 40A, 600V, RUGGED N-CHANNEL IGBT
HGTP20N60C3R Hakkında
HGTP20N60C3R, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V N-channel IGBT transistördür. 45A sürekli ve 300A darbe akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 1.8V @15V, 20A Vce(on) değeri ile düşük konduktans kaybı sağlar. 122nC gate charge ve 24ns reverse recovery time özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar. Endüstriyel kontrol sistemleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve enerji dönüştürme devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 164W maksimum güç kapasitesi ile orta ve yüksek güç seviyesi tasarımlara uygun bir seçenektir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
45 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
300 A
Gate Charge
122 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
164 W
Reverse Recovery Time (trr)
24 ns
Supplier Device Package
TO-220
Switching Energy
500µJ (on), 500µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
28ns/151ns
Test Condition
480V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V