Görsel mevcut değil
HGTP20N60A4
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 70A TO220-3
HGTP20N60A4 Hakkında
HGTP20N60A4, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V/70A kapasiteli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj ve orta akım uygulamalarında kullanılan bir güç anahtarı elemanıdır. Maksimum 280A darbe akımına sahip transistör, 142nC gate charge değeri ile kontrol uygulamalarında etkindir. Vce(on) değeri 2.7V olup, 15V gate voltajında 20A kolektör akımında ölçülmüştür. 105µJ açılış ve 150µJ kapanış switching enerjisi ile sahip olan bileşen, endüstriyel inverterler, motor sürücüleri, kaynak makinaları ve güç kaynağı sistemlerinde tercih edilmektedir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
70 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
280 A
Gate Charge
142 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
290 W
Supplier Device Package
TO-220-3
Switching Energy
105µJ (on), 150µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
15ns/73ns
Test Condition
390V, 20A, 3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V