Görsel mevcut değil
HGTP15N50E1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 15A, 500V, N-CHANNEL IGBT
HGTP15N50E1 Hakkında
HGTP15N50E1, Rochester Electronics tarafından üretilen 15A, 500V rated N-channel IGBT transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar elemanı olarak kullanılır. Maximum 75W güç dissipasyonuna sahip olan transistör, 35A pulse akımı ve 33nC gate charge karakteristiğine sahiptir. VCE(on) değeri 20V gate voltajında 35A'de 3.2V'dur. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığıyla, endüstriyel kontrol uygulamaları, motor sürücüleri, dc-dc dönüştürücüler ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. Through-hole montaj tipine sahiptir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
15 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
35 A
Gate Charge
33 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
75 W
Supplier Device Package
TO-220
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.2V @ 20V, 35A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
500 V