Görsel mevcut değil
HGTP10N50E1D
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 17.5A, 500V, N-CHANNEL IGBT
HGTP10N50E1D Hakkında
HGTP10N50E1D, Rochester Electronics tarafından üretilen 17.5A maksimum collector akımı ve 500V kırılma gerilimi özellikleri ile çalışan N-Channel IGBT transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, endüstriyel güç kontrol uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 3.2V maksimum Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 19 nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, motor kontrolü, güç kaynakları, UPS sistemleri ve endüstriyel sürücü uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 75W güç tüketimi ile tasarlanmıştır.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
17.5 A
Gate Charge
19 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
75 W
Supplier Device Package
TO-220
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.2V @ 20V, 17.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
500 V