Görsel mevcut değil
HGTP10N50E1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 10A, 500V, N-CHANNEL IGBT
HGTP10N50E1 Hakkında
HGTP10N50E1, Rochester Electronics tarafından üretilen 10A, 500V N-channel IGBT transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 60W güç kapasitesiyle düşük-orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 3.2V Vce(on) değeri ile hızlı anahtarlama operasyonları gerçekleştiren bu transistör, -55°C ile 150°C arasında güvenle çalışabilir. Pulsed kolektör akımı 17.5A'ye kadar çıkabilen cihaz, endüstriyel kontrol, motor sürücü devreleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Through Hole montaj tipi, prototip ve seri üretime uygun tasarımı destekler.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
17.5 A
Gate Charge
19 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
60 W
Supplier Device Package
TO-220-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.2V @ 20V, 17.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
500 V