Görsel mevcut değil
HGTP10N40F1D
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 12A, 400V, N-CHANNEL IGBT
HGTP10N40F1D Hakkında
HGTP10N40F1D, Rochester Electronics tarafından üretilen 12A kolektör akımı ve 400V kırılma gerilimi ile çalışan N-channel IGBT transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 75W maksimum güç kapasitesi, 2.5V Vce(on) değeri ve 13.4nC geçit yükü ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında işletme sıcaklığında güvenilir çalışır. İnverter, motor sürücü, kaynak makinesi ve indüktif yükler gibi endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
12 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
12 A
Gate Charge
13.4 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
75 W
Supplier Device Package
TO-220
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 10V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V