Görsel mevcut değil
HGTP10N40E1D
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 17.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT
HGTP10N40E1D Hakkında
HGTP10N40E1D, Rochester Electronics tarafından üretilen 17.5A maksimum kollektör akımı ve 400V breakdown voltajına sahip N-channel IGBT transistördür. TO-220-3 paket içinde gelen bu bileşen, 3.2V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 75W maksimum güç derecelendirmesi ile uygulamalarda kullanılan bu IGBT, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Yüksek hızlı anahtarlama uygulamaları, motor sürücüleri, güç kaynakları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde tercih edilir. 19 nC kapı yükü ile hızlı anahtarlama özelliği taşır ve delinmiş delik monte edilir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
17.5 A
Gate Charge
19 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
75 W
Supplier Device Package
TO-220
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.2V @ 20V, 17.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V