Görsel mevcut değil
HGTP10N40E1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 10A, 400V, N-CHANNEL IGBT
HGTP10N40E1 Hakkında
HGTP10N40E1, Rochester Electronics tarafından üretilen 10A, 400V N-Channel IGBT transistörüdür. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu komponent, maksimum 60W güç kapasitesine sahiptir. Collector akımı maksimum 10A, pulse akımı ise 17.5A'dir. 19nC gate charge ve 3.2V @ 20V, 17.5A Vce(on) değerleri ile düşük açılma kaybı sağlar. 400V breakdown voltajı ile endüstriyel uygulamalarda güvenli kullanım imkanı verir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralığında çalışan sistemlerde tercih edilmesini sağlar. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri ve güç dönüştürücü tasarımlarında yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
17.5 A
Gate Charge
19 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
60 W
Supplier Device Package
TO-220-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.2V @ 20V, 17.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V