Görsel mevcut değil
HGTP10N40C1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 10A, 400V, N-CHANNEL IGBT
HGTP10N40C1 Hakkında
HGTP10N40C1, Rochester Electronics tarafından üretilen 10A, 400V N-Channel IGBT transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 17.5A peak collector akımı ve 3.2V on-state gerilimi ile güç elektronikleri devrelerinde, motor kontrolü, invertör, değiştirici (DC-DC converter) ve kaynak uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen ve 400V collector-emitter breakdown gerilimi olan bu transistör, 60W maksimum güç dağılımına sahiptir. 19 nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özellikleri sağlar.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
17.5 A
Gate Charge
19 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
60 W
Supplier Device Package
TO-220-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.2V @ 20V, 17.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V