Görsel mevcut değil
HGTH12N50C1D
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 12A, 500V, N-CHANNEL IGBT
HGTH12N50C1D Hakkında
HGTH12N50C1D, Rochester Electronics tarafından üretilen 12A sürekli akım kapasitesine ve 500V collector-emitter breakdown voltajına sahip N-channel IGBT transistördür. TO-218 izole tab paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 75W güç harcaması ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 3.2V on-state voltajı ve 19nC gate charge değerleriyle düşük kayıplı anahtarlama gerçekleştirir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Endüstriyel güç elektroniği, motor kontrol devrelerinde, DC-DC konvertörlerde ve switched mode güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. Through-hole montaj tipi ile devre kartlarına direkt yerleşim sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
12 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
17.5 A
Gate Charge
19 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Part Status
Active
Power - Max
75 W
Reverse Recovery Time (trr)
100 ns
Supplier Device Package
TO-218 Isolated
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.2V @ 20V, 17.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
500 V