Görsel mevcut değil
HGTH12N40E1D
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 12A, 400V, N-CHANNEL IGBT
HGTH12N40E1D Hakkında
HGTH12N40E1D, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel IGBT transistörüdür. 12A sürekli kollektör akımı ve 400V breakdown voltajı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-218-3 Isolated Tab paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 75W güç yönetebilir. 19nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği sağlarken, 100ns reverse recovery time düşük anahtarlama kayıpları sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen transistör, endüstriyel motor kontrolü, invertör devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetim uygulamalarında kullanılır. 3.2V @ 20V, 17.5A olan Vce(on) değeri düşük kondüksiyon kaybı sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
12 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
17.5 A
Gate Charge
19 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Part Status
Active
Power - Max
75 W
Reverse Recovery Time (trr)
100 ns
Supplier Device Package
TO-218 Isolated
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.2V @ 20V, 17.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V