Görsel mevcut değil
HGTG5N120BND
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT NPT 1200V 21A TO247-3
HGTG5N120BND Hakkında
HGTG5N120BND, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V NPT tipi IGBT transistörüdür. TO-247-3 through-hole paketinde sunulan bu komponent, maksimum 21A collector akımı ve 40A pulsed akım kapasitesi ile çalışır. 53nC gate charge ve 450µJ on-state / 390µJ off-state switching energy'si ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Vce(on) maksimum değeri 2.7V (15V, 5A şartlarında) olup, 1200V breakdown voltajı ile yüksek voltaj ortamlarında güvenli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel sürücüler, invertörler, AC/DC güç kaynakları ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Not For New Designs statüsü nedeniyle yeni tasarımlarda yerini modern IGBT'lere bırakmıştır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
21 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
40 A
Gate Charge
53 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
167 W
Reverse Recovery Time (trr)
65 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
450µJ (on), 390µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
22ns/160ns
Test Condition
960V, 5A, 25Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V