Görsel mevcut değil
HGTG32N60E2
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- 50A, 600V N-CHANNEL IGBT
HGTG32N60E2 Hakkında
HGTG32N60E2, Rochester Electronics tarafından üretilen 50A/600V N-channel IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 208W güç kapasitesine sahiptir. 265nC gate charge ve 2.9V Vce(on) değerleriyle şekillendirilen bu transistör, hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 200A pulse collector akımı destekler. Endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları, invertör uygulamaları ve motor kontrolü sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Gate Charge
265 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
208 W
Supplier Device Package
TO-247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.9V @ 15V, 32A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V