Görsel mevcut değil
HGTG30N60C3D_NL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT, 63A, 600V, N-CHANNEL
HGTG30N60C3D_NL Hakkında
HGTG30N60C3D_NL, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel IGBT transistördür. 63A maksimum collector akımı ve 600V breakdown voltajı ile orta-yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, 1.8V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 252A pulse collector akımı kapasitesi ve 60ns reverse recovery time özellikleriyle motor kontrol, inverter devreleri, solar uygulamaları ve endüstriyel güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir. -40°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 208W maksimum güç yönetim kapasitesine sahiptir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
63 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
252 A
Gate Charge
250 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
208 W
Reverse Recovery Time (trr)
60 ns
Supplier Device Package
TO-247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V