Görsel mevcut değil
HGTG27N60C3DR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- UFS SERIES N-CHANNEL IGBT
HGTG27N60C3DR Hakkında
HGTG27N60C3DR, Rochester Electronics tarafından üretilen UFS serisi N-Channel IGBT transistördür. 600V Collector-Emitter breakdown voltajı ve 54A maksimum collector akımı ile endüstriyel güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç kaynakları, inverter ve anahtarlama devreleri gibi alanlarda tercih edilir. -40°C ile 150°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. 2.2V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı karakteristiğine sahiptir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
54 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
108 A
Gate Charge
212 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
208 W
Supplier Device Package
TO-247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 27A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V