Görsel mevcut değil
HGTG27N120BN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
HGTG27N120BN Hakkında
HGTG27N120BN, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V NPT tipi IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Maksimum 72A collector akımı ve 216A pulsed akım kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 through-hole paketi ile montaj kolaylığı sağlar. 500W maksimum güç dağıtımı ve 2.7V Vce(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Endüstriyel motor kontrol, güç kaynakları, inverterler ve switching uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 270nC gate charge ve 24ns/195ns on/off gecikmesi ile hızlı anahtarlama karakteristiği gösterir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
72 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
216 A
Gate Charge
270 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
500 W
Supplier Device Package
TO-247
Switching Energy
2.2mJ (on), 2.3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
24ns/195ns
Test Condition
960V, 27A, 3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 27A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V