Görsel mevcut değil
HGTG20N60B3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- N-CHANNEL IGBT
HGTG20N60B3 Hakkında
HGTG20N60B3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 600V breakdown voltajı ve maksimum 40A DC kollektör akımı ile çalışabilen bu bileşen, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, -40°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında stabildir. 165W maksimum güç dağılımı kapasitesi ve 80nC gate charge değeri ile endüstriyel motor kontrol, güç kaynakları, invertör devreleri ve AC/DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. Ürün kullanım dışı (obsolete) statüsündedir.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
80 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
165 W
Supplier Device Package
TO-247
Switching Energy
475µJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition
480V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V