Görsel mevcut değil
HGTG12N60C3DR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- UFS SERIES N-CHANNEL IGBT
HGTG12N60C3DR Hakkında
HGTG12N60C3DR, Rochester Electronics tarafından üretilen UFS serisi N-Channel IGBT transistörüdür. 600V reverse breakdown voltajı ve 24A maksimum collector akımı ile güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 104W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel motor kontrolü, güç inverterleri, DC-DC konvertörleri ve şebeke bağlantılı uygulamalarda yer alır. 37ns reverse recovery time ve 71nC gate charge değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
24 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
48 A
Gate Charge
71 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
104 W
Reverse Recovery Time (trr)
37 ns
Supplier Device Package
TO-247
Switching Energy
400µJ (on), 340µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
37ns/120ns
Test Condition
480V, 12A, 25Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V