Görsel mevcut değil
HGTG10N120BND
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT NPT 1200V 35A TO247-3
HGTG10N120BND Hakkında
HGTG10N120BND, Rochester Electronics tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 1200V collector-emitter gerilimi ve 35A sürekli collector akımı ile tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç elektroniği uygulamalarında anahtar görevi üstlenir. 100nC gate şarjı ile hızlı komütasyon sağlar. Maksimum 298W güç kapasitesine sahip olup, ön kenar gecikmesi 23ns, arka kenar gecikmesi 165ns'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel konvertörler, motor kontrol devreleri ve güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. Part Status: Not For New Designs - yeni tasarımlara önerilmemektedir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
35 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
80 A
Gate Charge
100 nC
IGBT Type
NPT
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
298 W
Reverse Recovery Time (trr)
70 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
850µJ (on), 800µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
23ns/165ns
Test Condition
960V, 10A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V