Görsel mevcut değil
HGTD8P50G1S
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- 8A, 500V P-CHANNEL IGBT
HGTD8P50G1S Hakkında
HGTD8P50G1S, Rochester Electronics tarafından üretilen 8A nominal akım ve 500V kesici gerilime sahip P-Channel IGBT transistördür. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, maksimum 12A sürekli ve 18A darbe akımını yönetebilir. 2.9V @ 15V, 3A açık hal gerilimi ile verimli anahtarlama performansı sunar. 30nC gate charge karakteristiği sayesinde hızlı komütasyon sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel güç dönüştürücüler, motor kontrol uygulamaları, DC-DC converterleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi alanlarda kullanılır. 66W maksimum güç yönetim kapasitesi ile kompakt tasarımlara uygun bir seçenektir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
12 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
18 A
Gate Charge
30 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
66 W
Supplier Device Package
TO-252AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.9V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
500 V