Görsel mevcut değil
HGTD8P50G1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- IPAK
- Açıklama
- 8A, 500V P-CHANNEL IGBT
HGTD8P50G1 Hakkında
HGTD8P50G1, Rochester Electronics tarafından üretilen 8A 500V P-Channel IGBT transistörüdür. TO-251-3 (IPak) kasa tipinde sunulan bu bileşen, 500V collector-emitter arasında yüksek voltaj dayanımı sağlar. Maksimum 12A sürekli akım (pulselanmış durumlarda 18A) taşıyabilir ve 3.7V Vce(on) değeri ile düşük doyum gerilimi karakteristiğine sahiptir. 30nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır. -40°C ile 150°C arasında çalışır ve 66W maksimum güç tüketimi özellikleri vardır. Güç yönetimi uygulamalarında, DC/AC dönüştürücülerde, motor kontrol devrelerinde ve anahtarlama güç kaynakları tasarımında kullanılabilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
12 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
18 A
Gate Charge
30 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Active
Power - Max
66 W
Supplier Device Package
I-PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.7V @ 15V, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
500 V