Görsel mevcut değil
HGTD7N60B3S
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- 14A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
HGTD7N60B3S Hakkında
HGTD7N60B3S, Rochester Electronics tarafından üretilen 14A sürekli kollektör akımı ve 600V yüksek voltaj derecelendirmesine sahip N-Channel IGBT transistördür. TO-252 DPak paketinde sunulan bu bileşen, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 37nC gate charge ve 26ns/130ns on/off geçiş süreleri ile verimli enerji dönüşümü sağlar. 60W maksimum güç derecelendirmesi ile motor kontrol, güç kaynakları ve endüstriyel sürücü devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile +150°C arasında işletim sıcaklık aralığında çalışabilir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
14 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
56 A
Gate Charge
37 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
60 W
Supplier Device Package
TO-252AA
Switching Energy
72µJ (on), 120µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
26ns/130ns
Test Condition
480V, 7A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 7A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V