Görsel mevcut değil
HGTD7N60B3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- IPAK
- Açıklama
- 14A, 600V, N-CHANNEL IGBT
HGTD7N60B3 Hakkında
HGTD7N60B3, Rochester Electronics tarafından üretilen 14A maksimum collector akımı ve 600V breakdown voltajına sahip N-channel IGBT transistördür. TO-251-3 (I-PAK) paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama uygulamalarında yüksek akım kontrolü gerektiren devre tasarımlarında kullanılır. 60W maksimum güç kapasitesi ile inverter, motor sürücüsü, güç kaynağı ve SMPS (Switched Mode Power Supply) uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Gate charge değeri 30nC ile hızlı anahtarlama sağlar. Vce(on) değeri 2.1V (15V gate voltajında 7A collector akımında) olarak belirtilmiştir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu IGBT, endüstriyel ve tüketim elektroniklerinde dayanıklı bir çözüm sunar.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
14 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
56 A
Gate Charge
30 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Active
Power - Max
60 W
Supplier Device Package
I-PAK
Switching Energy
160µJ (on), 120µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
26ns/130ns
Test Condition
480V, 7A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 7A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V