Görsel mevcut değil
HGTD3N60C3S
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- 6A, 600V, UFS SERIES N-CHANNEL I
HGTD3N60C3S Hakkında
HGTD3N60C3S, Rochester Electronics tarafından üretilen 6A, 600V UFS serisi N-Channel IGBT transistörüdür. Surface Mount TO-252 (D-Pak) paketinde sunulan bu komponent, maksimum 24A pulse collector akımı ve 33W güç tüketimine kapaklıdır. 13.8 nC gate charge ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç elektronikleri uygulamalarında, motor kontrolü, inverter devreleri ve anahtarlama kaynakları gibi kullanım alanlarında tercih edilir. 600V breakdown voltajı ve 2V Vce(on) değeri verimli güç yönetimini sağlar.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
24 A
Gate Charge
13.8 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
33 W
Supplier Device Package
TO-252, (D-Pak)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V