Görsel mevcut değil
HGTD3N60C3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- IPAK
- Açıklama
- 6A, 600V, N-CHANNEL IGBT
HGTD3N60C3 Hakkında
HGTD3N60C3, Rochester Electronics tarafından üretilen 6A, 600V N-Channel IGBT transistördür. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu komponent, 33W maksimum güç yönetimi kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 2V'dir (15V gate voltajında, 3A kollektör akımında). 13.8 nC gate charge ve 10 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -40°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, maksimum 24A pulse kollektör akımını tolere edebilir. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, inverter uygulamaları ve endüstriyel denetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
24 A
Gate Charge
13.8 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Active
Power - Max
33 W
Reverse Recovery Time (trr)
10 ns
Supplier Device Package
I-PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V