Görsel mevcut değil
HGTD3N60B3S9A
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
HGTD3N60B3S9A Hakkında
HGTD3N60B3S9A, Rochester Electronics tarafından üretilen 7A sürekli, 20A darbe akımına kapaklı bir N-channel IGBT transistörüdür. 600V kollektör-emiter bozulma gerilimi ile güç elektronik uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. TO-252 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 33.3W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. 2.1V Vce(on) değeri ve 18ns açılış/105ns kapanış zamanı ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışmak üzere tasarlanmıştır. Motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, invertörler ve güç yönetimi devrelerinde tercih edilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
7 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
20 A
Gate Charge
21 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
33.3 W
Reverse Recovery Time (trr)
16 ns
Supplier Device Package
TO-252-3 (DPAK)
Switching Energy
66µJ (on), 88µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
18ns/105ns
Test Condition
480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 3.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V