Görsel mevcut değil
HGTD3N60B3S
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
HGTD3N60B3S Hakkında
HGTD3N60B3S, Rochester Electronics tarafından üretilen 7A kollektör akımına ve 600V kırılma voltajına sahip N-Channel IGBT transistörüdür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu komponent, güç anahtarlama ve inverter uygulamalarında kullanılır. 33.3W maksimum güç yeteneği ve 21nC gate charge değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. 18ns açılış ve 105ns kapanış süresi, yüksek frekans anahtarlama uygulamalarına elverişlidir. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sunmakta, endüstriyel motor kontrolü, kaynak cihazları ve güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
7 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
20 A
Gate Charge
21 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
33.3 W
Reverse Recovery Time (trr)
16 ns
Supplier Device Package
TO-252-3 (DPAK)
Switching Energy
66µJ (on), 88µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
18ns/105ns
Test Condition
480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 3.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V