Görsel mevcut değil
HGTD3N60B3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- IPAK
- Açıklama
- 7A, 600V, N-CHANNEL IGBT
HGTD3N60B3 Hakkında
HGTD3N60B3, Rochester Electronics tarafından üretilen 7A, 600V N-Channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-251-3 (I-PAK) paketinde sunulan bu bileşen, 33.3W maksimum güç yönetimi kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 3.5A collector akımında 2.1V olup, 21nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. 18ns açılış ve 105ns kapanış süresi ile düşük anahtarlama kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. İleri beslemeli güç dönüştürme uygulamaları, PWM kontrolü ve motor sürücüleri gibi uygulamalarda kullanılır. 600V ters dönüş voltajı toleransı ile güvenli çalışma sağlar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
7 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
20 A
Gate Charge
21 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Active
Power - Max
33.3 W
Reverse Recovery Time (trr)
16 ns
Supplier Device Package
I-PAK
Switching Energy
66µJ (on), 88µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
18ns/105ns
Test Condition
480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 3.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V