Görsel mevcut değil
HGTD3N60A4S
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- IGBT, 17A, 600V, N-CHANNEL
HGTD3N60A4S Hakkında
HGTD3N60A4S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel IGBT transistörüdür. 600V kesme voltajı ve 17A maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) surface mount paketinde sunulur. 70W maksimum güç yönetimi kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında ve 3A collector akımında 2.7V olarak belirtilmiştir. 32nC gate charge değeri ile düşük kapasitanslı tasarımıdır. İçteki 6ns açılış (Td on) ve 73ns kapanış (Td off) zamanları hızlı anahtarlama karakteristiği gösterir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı vardır. DC-DC dönüştürücüler, motor sürücü devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
17 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
40 A
Gate Charge
32 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
70 W
Supplier Device Package
TO-252-3 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C
6ns/73ns
Test Condition
390V, 3A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V