Görsel mevcut değil
HGTD10N50F1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- IPAK
- Açıklama
- 10A, 500V N-CHANNEL IGBT
HGTD10N50F1 Hakkında
HGTD10N50F1, Rochester Electronics tarafından üretilen 10A/500V N-Channel IGBT transistördür. TO-251-3 (I-PAK) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj ve orta akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 500V breakdown voltajı ve maksimum 12A kolektör akımı ile güç dönüştürme, motor kontrol, enerji yönetimi ve switching uygulamalarında yer bulur. 75W maksimum güç yeteneği ve 2.5V on-state voltajı (10V gate voltajda, 5A akımda) ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihaz, 13.4nC gate charge değeri ile hızlı switching performansı sunar. Through-hole montaj tipi, endüstriyel ve güç elektronik tasarımlarında yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
12 A
Gate Charge
13.4 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Active
Power - Max
75 W
Supplier Device Package
I-PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 10V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
500 V