Görsel mevcut değil
HGTD10N40F1S
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- 10A, 400V N-CHANNEL IGBT
HGTD10N40F1S Hakkında
HGTD10N40F1S, Rochester Electronics tarafından üretilen 10A, 400V rated N-Channel IGBT transistördür. TO-252 (D-Pak) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 12A collector akımı, 400V collector-emitter breakdown voltajı ve 2.5V Vce(on) değerine sahiptir. 13.4 nC gate charge ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahip olan bileşen, -55°C ile +150°C arasında güvenli şekilde çalışabilir. 75W maksimum güç tüketimi ile tasarlanan bu IGBT, güç dönüştürücüler, motor sürücüleri, ışık kontrolü ve diğer anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere uygundur. Aktif durumda olan bu ürün, yüksek verimlilik gerektiren endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilmektedir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
12 A
Gate Charge
13.4 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
75 W
Supplier Device Package
TO-252, (D-Pak)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 10V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V