Görsel mevcut değil
HGTB12N60D1C
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 12A, 600V N-CHANNEL IGBT
HGTB12N60D1C Hakkında
HGTB12N60D1C, Rochester Electronics tarafından üretilen 12A, 600V N-channel IGBT transistördür. Standard giriş tipine sahip bu bileşen, Through Hole montaj yöntemiyle PCB'ye entegre edilir. TO-220-5 paketinde sunulan transistör, maksimum 75W güç kapasitesine ve 40A pulse akım değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilen bu IGBT, güç anahtarlama uygulamalarında, invertörler, motor kontrol devreleri ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır. Vce(on) değeri 2.7V olup, 600V collector-emitter breakdown voltajı endüstriyel ve tüketici uygulamaları için uygun bir seçimdir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
12 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
40 A
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-5
Part Status
Active
Power - Max
75 W
Supplier Device Package
TO-220-5
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V