Görsel mevcut değil
HGTA32N60E2
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 32A, 600V N-CHANNEL IGBT
HGTA32N60E2 Hakkında
HGTA32N60E2, Rochester Electronics tarafından üretilen 32A, 600V N-channel IGBT transistördür. TO-218-5 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 50A DC ve 200A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 2.9V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge 265 nC olup standart giriş tipinde çalışır. -55°C ile 150°C arasında güvenli şekilde çalışabilen bu transistör, güç anahtarlama uygulamalarında, inverter devrelerde, motor kontrol sistemlerinde ve endüstriyel güç elektronikleri alanında yaygın olarak kullanılır. 208W maksimum güç tüketimi ile orta ve yüksek güç uygulamalarına uygun tasarlanmıştır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Gate Charge
265 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-218-5
Part Status
Active
Power - Max
208 W
Supplier Device Package
TO-218-5
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.9V @ 15V, 32A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V