Görsel mevcut değil
HGT1S7N60C3D
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT, 14A, 600V, N-CHANNEL
HGT1S7N60C3D Hakkında
HGT1S7N60C3D, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel IGBT transistördür. 14A sürekli collector akımı ve 600V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 56A pals akımı kapasitesi ve 25ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu transistör, -40°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. 60W maksimum güç disipasyonu ve 2V Vce(on) değeri ile endüstriyel kontrol, motor sürücüleri ve DC-DC konverter uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
14 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
56 A
Gate Charge
38 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status
Active
Power - Max
60 W
Reverse Recovery Time (trr)
25 ns
Supplier Device Package
I2PAK (TO-262)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 7A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V