Görsel mevcut değil
HGT1S7N60B3DS
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- 14 A, 600 V, UFS N-CHANNEL IGBT
HGT1S7N60B3DS Hakkında
HGT1S7N60B3DS, Rochester Electronics tarafından üretilen 14 A maksimum collector akımı ve 600 V breakdown voltajına sahip N-channel IGBT transistörüdür. TO-263AB (D²Pak) paketinde sunulan bu komponent, 60 W güç dağıtım kapasitesine ve 2.1V (Vce(on)) açılış voltajına sahiptir. 30 nC gate charge ve 26ns açılış/130ns kapanış zamanı ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. Ters kurtarma süresi 37 ns olup, 160µJ açılış ve 120µJ kapanış anahtarlama enerjisi ile enerji verimli tasarımlar için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu IGBT, güç kaynakları, motor kontrol devrelerinde, invertör uygulamalarında ve anahtarlamalı güç uygulamalarında kullanılır. Surface mount montajı ile modern PCB tasarımlarına entegre edilebilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
14 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
56 A
Gate Charge
30 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
60 W
Reverse Recovery Time (trr)
37 ns
Supplier Device Package
TO-263AB
Switching Energy
160µJ (on), 120µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
26ns/130ns
Test Condition
480V, 7A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 7A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V