Görsel mevcut değil
HGT1S7N60B3D
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 14A, 600V, N-CHANNEL IGBT
HGT1S7N60B3D Hakkında
HGT1S7N60B3D, Rochester Electronics tarafından üretilen 14A collector akımı ve 600V breakdown voltajına sahip N-Channel IGBT transistördür. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç dönüştürme, motor kontrol ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 60W maksimum güç derating kapasitesi ile tasarlanmış olan cihaz, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 30nC gate charge ve 26ns/130ns on/off delay süreleri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. 2.1V Vce(on) değeri düşük iletim kaybı anlamına gelir ve 21ns reverse recovery time ile verimli çalışma imkanı sunar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
14 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
56 A
Gate Charge
30 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status
Active
Power - Max
60 W
Reverse Recovery Time (trr)
21 ns
Supplier Device Package
I2PAK (TO-262)
Switching Energy
160µJ (on), 120µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
26ns/130ns
Test Condition
480V, 7A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 7A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V