Görsel mevcut değil
HGT1S7N60B3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 14A, 600V, N-CHANNEL IGBT
HGT1S7N60B3 Hakkında
HGT1S7N60B3, Rochester Electronics tarafından üretilen 14A sürekli kolektör akımı ve 600V dayanıklılığına sahip N-channel IGBT transistördür. TO-262 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek anahtarlama hızı ve düşük iletim kayıpları ile karakterize edilmiştir. Maksimum 2.1V Vce(on) değeri ile verimli güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 30nC gate charge ve 26ns/130ns on/off gecikmesi ile hızlı komütasyon işlemi sağlar. Şu uygulamalarda tercih edilir: motor kontrolörleri, güç kaynakları, inverter devreleri, değiştirici sistemleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamaları. -55°C ile 150°C arası geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
14 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
56 A
Gate Charge
30 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status
Active
Power - Max
60 W
Supplier Device Package
I2PAK (TO-262)
Switching Energy
160µJ (on), 120µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
26ns/130ns
Test Condition
480V, 7A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 7A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V