Görsel mevcut değil
HGT1S7N60A4DS9A
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- IGBT, 34A, 600V, N-CHANNEL
HGT1S7N60A4DS9A Hakkında
HGT1S7N60A4DS9A, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel IGBT transistördür. 34A maksimum kollektör akımı ve 600V kollektör-emitter breakdown voltajı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 125W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahip bu bileşen, motor kontrol, konvertörler, şarj cihazları ve endüstriyel güç elektronikleri uygulamalarında tercih edilir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan transistör, -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. 60nC gate charge ve 11ns turn-on / 100ns turn-off zamanları ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
34 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
56 A
Gate Charge
60 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
125 W
Reverse Recovery Time (trr)
34 ns
Supplier Device Package
TO-263AB
Switching Energy
120µJ (on), 60µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
11ns/100ns
Test Condition
390V, 7A, 25Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 7A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V