Görsel mevcut değil
HGT1S3N60C3DS
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- 6A, 600V, N-CHANNEL IGBT
HGT1S3N60C3DS Hakkında
HGT1S3N60C3DS, Rochester Electronics tarafından üretilen 6A maksimum kolektör akımı ve 600V çökme gerilimi ile çalışan N-channel IGBT transistördür. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç dönüştürme uygulamaları, motor kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları ve AC/DC dönüştürücülerde kullanılır. Standard giriş tipi özellikleriyle geniş uygulama alanında entegre edilebilir. Aktif ürün statüsü ile tedarik edilmektedir.
Ürün Özellikleri
7 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Supplier Device Package
TO-263AB
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V