Görsel mevcut değil
HGT1S3N60C3D
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 6A, 600V, N-CHANNEL IGBT
HGT1S3N60C3D Hakkında
HGT1S3N60C3D, Rochester Electronics tarafından üretilen 6A sürekli akım kapasitesine sahip N-channel IGBT transistördür. 600V Collector-Emitter kırılma voltajı ile medium-voltage uygulamalarda kullanılır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. 33W maksimum güç dissipasyonu ve -40°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur. 2V Vce(on) değeri ile düşük iletkendirme kaybı sağlar.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
24 A
Gate Charge
13.8 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status
Active
Power - Max
33 W
Supplier Device Package
I2PAK (TO-262)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V